深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE65T1K2K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：4A(Tc)

　　漏源电压（Vdss）：650V

　　栅源极阈值电压：4V@250uA

　　漏源导通电阻：1.1Ω@2A,10V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：41W(Tc)

　　NCE65T1K2K超级结型场效应管特性：

　　高压器件新技术

　　低导通电阻，低导通损耗

　　小包装

　　极低的门电荷降低了驱动要求

　　100%雪崩测试

　　通过无铅认证

　　应用程序：

　　功率因数校正(PFC)

　　开关电源(SMPS)

　　不间断电源(UPS)

　　绝对最大额定值(TC=25℃)：