深圳市誉辉天成电子有限公司

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET?

包装

管件

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)

40A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）

60 毫欧 @ 24A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值）

4V @ 250?A

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）

180 nC @ 10 V

Vgs（值）

?20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）

2700 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（值）

200W（Tc）

工作温度

-55?C ~ 175?C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRF5210PBF晶体管MOSFET